随着led电子屏芯片技术的发展，今后还将出现更多提高led电子屏芯片发光效率的新技术。尤其是，将出现更好的芯片，提高LED芯片的抗静电功能，降低LED芯片的热量，提高发光效率。下面跟着迷你小编，看看能做什么。
1，透明衬底技术InGaAlP
指示灯通常在GaAs基板上的外延生长InGaAlP 发光区 GaP窗口区域制造。与InGaAlP相比，GaAs材料的带隙宽度小得多，因此短波长光在发光区和窗口表面注射GaAs基板时均被吸收，成为设备发射效率不高的主要原因。在基板和限制层之间生长Bragg反射区域，使垂直于基板的射光反射回发光区或窗口，并且部分改进了设备的发光特性。更有效的方法是先移除GaAs基板，并用完全透明的GaP晶体取代。在led电子屏芯片内去除基板吸收区，将量子效率从4%提高到25-30%。为了进一步减少电极区的吸收，将这种透明衬底型InGaAlP装置做成单面锥形，进一步提高了两者的效率。
2、金属膜反射技术
透明衬底进程最初由美国的HP、Lumileds等启动，金属膜反射法主要由日本、台湾厂商进行大量研究和开发。这种工艺不仅规避了透明衬底专利，而且对规模生产更有利。效果可以说是透明衬底法和李谷同行的妙处。此过程通常称为MB过程，是移除GaAs基板，将其表面与Si基板表面一起涂上al-metal膜，然后在一定温度和压力下进行焊接的过程。这样，从发光层照射到基板的光被Al金属膜反射到芯片表面，从而使设备的发光效率提高2.5倍以上。
3、表面微结构技术
表面微结构过程是提高在led电子屏芯片表面刻蚀上具有大量光波长的小结构的芯片表面上每个结构被截断的四面体形状的设备的发光效率的另一有效技术，这将扩大输出区域，改变光在芯片表面的折射方向，从而显着提高光的透射效率。据测量，窗层厚度为20m的装置的发光效率可以提高到30%。窗层厚度减少到10m，发光效率提高了60%。对于波长在585-625nm的LED元件，在创建纹理结构后，可以达到接近设备水平的30lm/w。4，倒装芯片技术
MOCVD技术使基于GaN的LED结构层在石基板上生长，P/N接头发光区发出的光通过上述p 出。由于p型GaN的传导性能不好，为了实现良好的电流扩展，必须通过蒸汽镀技术在p区表面形成由Ni-Au层组成的金属电极层。p区引线通过该层的金属薄膜诱导。为了良好的电流扩展，Ni-Au金属电极层不能太薄。为此，设备的发光效率受到很大影响。一般来说，电流扩展和发光效率两个因素都要考虑。但是在任何情况下，如果金属膜存在，总是会恶化透光的性质。此外，由于引线 焊点的存在，led电子屏的发光效率也会受到影响。使用GaN LED倒装芯片结构可以从根本上消除上述问题。
5、芯片连接技术
led电子屏对所需材料有性能要求，通常带宽大，材料的折射率需要大幅度变化。不幸的是，一般没有天然的这种物质。同质外延生长技术一般不能形成所需的带宽差异和折射指数差，在硅中外延GaAs和InP等一般异质外延技术不仅成本高，而且耦合接口的电势密度也很高，很难形成高质量的光电集成装置。低温耦合技术可以大大减少不同材料之间的热不匹配问题，减少应力和电位，从而产生高质量的装置。随着对粘接机制的理解和粘接工艺技术的成熟，多种不同材料的芯片之间可以相互结合，形成一些特殊用途的材料和装置。在硅片上形成硅化物层，然后结合，形成新的结构。由于硅化物的电导率高，可以替代双极装置的隐藏层，从而减少RC常数。
6、激光剥离技术(LLO)
激光剥离技术(LLO)利用激光能量分解GaN/蓝宝石接口的GaN缓冲层，将LED外延薄膜与蓝宝石基板分离。技术的优点是，外延芯片可以转移到热导率高的热针上，提高大型芯片的电流扩展。n面的发光区域增加，电极屏蔽小，便于制造微结构，减少刻蚀、磨削、薄片。更重要的是，蓝宝石基板可以重复使用。
