LED产品中最核心的发光芯片属于半导体行业，国内目前最大属于三安光电。那这个至关国家核心技术的芯片包含哪些信息？它的一些基本特点又是哪些呢？我们一起来了解下。
芯片大致生产工艺流程:减薄----蒸发----光刻----切割-----测试。这几个主要工序又包含多达几十个小工序，每个工序设备工艺又极其复杂和精密。我们简略的讲述下GaN的生产流程。
首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够乾净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。
芯片在前段工艺中，各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及等，会存在有芯片电极刮伤情形发生。
那芯片的大致结构是什么样呢？简图如下：
这里对芯片做一个简略的说明:
1.芯片基本结构由焊垫,P檄,N檄及基座四部分组成.其中发光部分为P檄和N檄的接面(即PN结区域).2.焊垫材质一般为铝垫或金垫.3.基座底部一般为凹凸不平且刻金.4.芯片尺寸因供货商而异.
芯片构成按元素的分类有三种:二元,三元和四元。这里的几元主要讲述的是构成芯片的元素是几种。如果是2种元素就是二元，三种元素就是三元。我们列举下常用的二元 三元 四元芯片种类。芯片在早期和现在的台资厂芯片大都还是二三元芯片居多，而国内的芯片主要都是四元芯片，四元芯片在亮度和单价方面要远远优于二三元。
二元:GaN,GaP。常用芯片:C430-CB290-E1000,ED-011YGU,ED-013YGU,ED-010RN,ED-011RD等。三元:InGan,GaAIAS,GaASP。常用芯片:C470-CB290-E1000, C505-CB290-E1000,C512-CB290-E1000， C525-UB230-E1000等。四元:AlGaInP常用芯片:ES-CAYL512,ES-CASO512,ES-CAHR512,ES-CASR512，UED-712SYS-MV,ES-CAYO512,UED-712UR-V,UED-712SO-V等。
芯片主要性能指针:Vf,Iv,Wd(1) Vf: 影响不同区域芯片的Vf因素有:a. 蒸发材料时的不均匀分布b. 退火温度的不均匀(2) Iv: 影响因素见发光效率(3) Wd: 影响为:材料及配比(4) Vf与Wd的关系式:Wd=1240/Vf(nm)注:蓝色激活层能带为2.7v.,但受掺Si的影响及垫檄金属的接触导致20mA下,正面电压为3.8v,只要改善四件结构和掺杂水平,就可获低于3.0v的正面电压.目前生产的蓝光翠绿光芯片的电压部分已低于2.8v，此点主要为芯片厂家为提高内量子发光效率，降低材料阻值，让电流分布的更均匀而做的降低电压的改进。
